概述倍加福,P+F测量传感器技术详情[产品打印页面]

]资料

点击看大图

如果您对该产品感兴趣的话,可以

产品名称: 概述倍加福,P+F测量传感器技术详情
产品型号: OBT600-R200-2EP-IO-V1-L
产品展商: P+F
简单介绍
概述倍加福,P+F测量传感器技术详情由光通量对光电元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的,按光电元件(光学测控系统)输出量性质可分二类,即模拟式光电传感器和脉冲(开关)式光电传感器.

概述倍加福,P+F测量传感器技术详情的详细介绍

概述倍加福,P+F测量传感器技术详情
特点简介:
带可调节背景抑制功能的激光漫反射型光电传感器, 微型设计，提供通用安装选项, DuraBeam 激光传感器 - 持久耐用，可像 LED 一样使用, 扩展的温度范围
-40°C ... 60°C, 较高的防护等级：IP69K, 服务和过程数据 IO-link 接口
开关类型该传感器的开关类型是可更改的。默认设置为：
使用类别 DC-12 和 DC-13
电压降 ≤ 1,5 V DC
外壳宽度 15 mm
光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应，如光电池等。
外壳高度 50,6 mm
外壳深度 41,7 mm
防护等级 IP67 / IP69 / IP69K
连接 4 针，M12 x 1 连接器，可旋转 90°
开关频率 1650 Hz
漫反射型光电传感器特别容易安装，因为只需安装一个装置且不需要反射板。这些传感器主要在近距离工作，具有高性能的开关精度，甚至可以可靠地探测非常小的物体。具有背景抑制功能的传感器仅能探测传感器前方的特定区域。传感器会忽略该区域之外的任何物体。具有背景抑制功能的传感器对背景中的干扰物体也不敏感，在受干扰的情况下依然能保证探测精度。具有背景分析功能的传感器始终用于测量范围内具有固定背景的应用中，可以使用此固定背景来校准传感器。
C/Q - 针脚 4：NPN 常开/亮通，PNP 常闭/暗通，IO-Link
/Q - 针脚 2：NPN 常闭/暗通，PNP 常开/亮通

信号输出 2 路推挽式（4 合 1）输出，短路保护，反极性保护，过电压保护

概述倍加福,P+F测量传感器技术详情

产品留言

标题

联系人

联系电话

内容

验证码

点击换一张

注：1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!