倍加福p+f磁场传感器MB-F32-A2-V1
铁磁性物质在磁化过程中，它的电阻值沿磁化方向将增加，并达到饱
和的现象称 为磁阻效应。薄膜磁阻元件是利用薄膜工艺和微细加工技
术，将NiPe。NiCo合金用真空蒸镇或溯射工艺沉积到硅片或铁氧体基
片上，通过微细加工技术制成 一定形状的磁咀图形，形成三端式、四
端式以及多端式器件。BMber结构桥式电路磁阻元件具有灵敏度高、
工作频率特性好、温度稳定性好、结构简单、体积小 等特点。可制成
高密度磁咀磁头、磁性编码器、磁阻位移传感器、磁阻电流传感器等。
利用人工设置的长久磁体产生的磁场， 可作为许多种信息的载体。因
此，探测、采集、存储、转换、复现和监控各种磁场和磁场中承载的
各种信息的任务，自然就落在磁场传感器身上。在当今的信息社会中，
磁场传感器已成为信息技术和信息产业中不可缺少的基础元件。
开关功能 互补
输出类型 PNP
安装 在汽缸上
输出极性 DC
开关范围 类型 50 mm
额定值
工作电压 10 ... 30 V DC
反极性保护 反极性保护
短路保护 脉冲式
电压降 ≤ 1,5 V
工作电流 0 ... 100 mA
空载电流 ≤ 30 mA
功能性安全相关参数
MTTFd 739 a
任务时间 (TM) 20 a
诊断覆盖率 (DC) 0 %
环境条件
环境温度 -25 ... 85 °C (-13 ... 185 °F)
存储温度 -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)
机械规格
连接类型 连接器插头 M12 x 1 ， 4 针
外壳材料 聚酰胺 (PA)
感应面 聚酰胺 (PA)
防护等级 IP67
倍加福p+f磁场传感器MB-F32-A2-V1
