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BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32[产品打印页面]

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产品名称: BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32
产品型号: BTL5-E17-M0400-P-S32
产品展商: BALLUFF
简单介绍
BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32 结构 型号系列,型面结构 接口 模拟接口,电流 接口 插接器, M16 工作温度 20.0...28.0 V

BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32的详细介绍

BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32



关键特征
结构 型号系列,型面结构
接口 模拟接口,电流
接口 插接器, M16
工作温度 20.0...28.0 V
分辨率 ≤ 0.2 µA
用于动态规则应用 No
位置传感器数, 1 ST

一般特征
代数 Generation 5
反极性保护 是
防护等级符合IEC 60529 IP67 (带插接器)
位置传感器数,出厂设置 1 ST

电气特征
超压保护 是
电绝缘 是
负载电阻RL, ≤ 500 Ohm
工作电压UB,,DC 28.0 V
工作电压UB,小,DC 20.0 V
故障信号Ia,下降 ≤ 3.2 mA
故障信号Ua,上升 ≥ 10.2 V
故障信号Ua,下降 < 0 V
耗电量(24&nbsp;V&nbsp;DC) ≤ 150 mA
接口 模拟接口,电流
接口组 模拟
接通峰值电流 ≤ 3 A / 0.5 ms
连接方式 插接器
耐电压(GND – 外壳) 500 V DC
输出信号 20…4 mA
位置传感器数, 1 ST
线性偏差, ±100 µm
用于动态规则应用 No
余波 0.5 Vss

机械特征
额定长度 400 mm
EN55016-2-3 (辐射) 工业区
EN60068-2-27 (冲击) 100 g / 6 ms
EN60068-2-29 (持续冲击) 100 g / 2 ms
EN60068-2-6 (振动) 12 g,10…2000 Hz
EN60068-2-64 (杂音) 5 g,10…2000 Hz
EN61000-4-2 (ESD) 严重级别3
EN61000-4-3 (RFI) 严重级别3
EN61000-4-4 (爆裂) 严重级别3
EN61000-4-5 (浪涌) 严重级别2
EN61000-4-6 (HF场) 严重级别3
EN61000-4-8 (磁场) 严重级别4
TK,典型(在500 mm的50 %时) ≤ 35 ppm/K
仓储温度,低 100 °C
仓储温度,低 -40 °C
测量值率(根据长度) 1 kHz, standard
插头类型 M16
电极数 8
电缆/插头出线 轴向
分辨率 ≤ 0.2 µA
固定方式 固定夹
规格 规格P
环境温度Ta, 85 °C
环境温度Ta,小 -40 °C
结构 型号系列,型面结构
空气湿度 < 90 %,不凝结
零点 73.0 mm
外壳材料 阳极化铝
型材高度 36.8 mm
重复精度 ≤ ±0.2 µA

BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32

Allgemeine Merkmale
Zulassungen / Konformität CE cURus
Schutzart nach IEC 60529 IP67 (mit Steckverbinder)
Generation Generation 5
Anzahl Pos.-Geber, Werkseinst. 1 ST
verpolungssicher ja

Elektrische Merkmale
Anschlussart Steckverbinder
Anzahl der Positionsgeber max. 1 ST
Ausgangssignal 20…4 mA
Betriebsspannung UB max. DC [V] 28.0 V
Betriebsspannung UB min. DC [V] 20.0 V
Einschaltspitzenstrom ≤3 A / 0,5 ms
Fehlersignal Ia fallend ≤3,2 mA
Fehlersignal Ua fallend < 0 V
Fehlersignal Ua steigend ≥10,2 V
Für dynamische Regelanwendung nein
Interface Analog-Schnittstelle, Strom
Lastwiderstand RL max.≤ 500 Ohm
Linearitätsabweichung max. ±100 μm
Potenzialtrennung ja
Restwelligkeit 0,5 Vss
Schnittstellengruppe Analog
Spannungsfest (GND – Gehäuse) 500 V DC
Stromaufnahme (bei 24 V DC) ≤150 mA
Überspannungsschutz ja
Mechanische Merkmale
Nennlänge [mm] 400 mm
Auflösung ≤0,2 μA
Ausführung Ausführung P
Bauform Baureihe Profil
Befestigungsart Befestigungsklammern
EN55016-2-3 (Abstrahlung) ndustriebereich
EN60068-2-27 (Schock) 100 g / 6 ms
EN60068-2-29 (Dauerschock) 100 g / 2 ms
EN60068-2-6 (Vibration) 12 g, 10…2000 Hz
EN60068-2-64 (Rauschen) 5 g, 10…2000 Hz
EN61000-4-2 (ESD) Schärfegrad 3
EN61000-4-3 (RFI) Schärfegrad 3
EN61000-4-4 (Burst) Schärfegrad 3
EN61000-4-5 (Surge) Schärfegrad 2
EN61000-4-6 (HF-Felder) Schärfegrad 3
EN61000-4-8 (Magnetfelder) Schärfegrad 4
Kabel-/Steckerabgang axial
Lagertemperatur max. 100 °C
Lagertemperatur min. -40 °C
Luftfeuchtigkeit <90 %, nicht betauend
Messwertrate (längenabhängig) 1 kHz, Standard
Nullpunkt 73.0 mm
Polzahl 8
Profilhöhe 36.8 mm
Steckerart M16
TK, typ. (bei 50 % von 500 mm) ≤35 ppm/K
Umgebungstemperatur Ta max. 85 °C
Umgebungstemperatur Ta min. -40 °C
Werkstoff Gehäuse Aluminium eloxiert
Wiederholgenauigkeit ≤±0,2 μA

BALLUFF微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0400-P-S32

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