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P+F/倍加福编码器
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产品名称/型号
产品简单介绍
德国P+F1通道隔离栅
KFD2-STC4-EX1.2O
德国P+F1通道隔离栅KFD2-STC4-EX1.2O PR12-4DN ZR-350N 6ES7137-6AA00-0BA0 6GT2002-0HD01(Siemens) 6GT2002-0JD00(Siemens) 6GK1901-0DB20-6AA0(Siemens) Z-10-RN-TR20X4-H320-MF-DM-KUZ(zimmer)
WCS3B-LS311D倍加福读头WCS3B-LS410
WCS3B-LS311D倍加福读头WCS3B-LS410 可进行双重请求,如果 tp≤ 10 µs 符合标准 发射干扰 DIN EN 61000-6-4 抗扰度 DIN EN 61000-6-2 耐冲击性 DIN EN 60068-2-27,半正弦 30 g,18 ms 抗振性 DIN EN 60068-2-6,正弦,5 g,10 - 2000 Hz,10 个循环
德国原装p+f多圈旋转编码器
INY030D-F99-2I2E2-V17
德国原装p+f多圈旋转编码器INY030D-F99-2I2E2-V17 功能性安全相关参数 MTTFd 70 a 任务时间 (TM) 20 a L10 1,9 E+11 在 6000 rpm 和 20/40 N 轴向/径向轴负载下 诊断覆盖率 (DC) 0 %
德国原装p+f本安型接近开关实物
NBN4-12GM40-Z0
德国原装p+f本安型接近开关实物 本安型输出接近开关 本安型输出接近开关因其电压和电流很小,所以可以被应用于有爆炸危险环境中,产品型号后带字母“N”,或者是字母“N”后加一数字均表示该系列产品。 在相应的设备电路中,电能被限制到很小,这意味着只有本安型接近开关配套一个相应的隔离放大器才表示本质安全。
P+F漫反射型光电传感器在售
ML100-8-1000-RT/102/115
P+F漫反射型光电传感器ML100-8-1000-RT/102/115在售 漫反射光电传感器是一种集发射器和接收器于一体的传感器,当有被检测物体经过时,物体将光电传感器发射器发射的足够量的光线反射到接收器,于是光电传感器就产生了开关信号。原理像漫反射原理。所以也叫漫反射。漫反射原理:物体表面凹凸不平,相当于无数角度不同的小平面镜,而阳光看作平行光,入射方向相同,但因为各个小平面镜角度不一,所以反射光线角度不一,这样在各个方向上都可见反射光线了,漫反射光电传感器是一种集发射器和接收器于一体的传感器,当有被检测物体经过时,将光电传感器发射器发射的足够量的光线反射到接收器,于是光电传感器就产生了开关信号
P+F光电槽形传感器
GL30-RT/32/40A/98A
P+F光电槽形传感器GL30-RT/32/40A/98A OTB200-18GM-E5-V1 NBN8-12GM50-E2-V1 RHI58N-0BAK1R66N-00500 SL3002-X1/GS80/K/01 ML8-8-HGU-50-RT/102/115/162
单价咨询德国P+F电感式接近开关
NBN15-30GM50-E2
单价咨询德国P+F电感式接近开关 M8,M12接插件连接或端子接线方式·PVC,PUR或硅电缆出线方式 2线,3线,4线直流,交流,NAMUR输出方式以及AS-I总线方式输出
P+F对射型光电传感器
OBE12M-R100-S2EP1-IO-V31
P+F对射型光电传感器OBE12M-R100-S2EP1-IO-V31 接收器有光电二极管 或光电三极管组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。 在其后面是检测电路,
P+F旋转编码器 现货供应
RHI90N-OHAK1R6XN-01024
P+F旋转编码器 RHI90N-OHAK1R6XN-01024 现货供应 由于A、B两相相差90度,可通过比较A相在前还是B相在前,以判别编码器的正转与反转,通过零位脉冲,可获得编码器的零位参考位。 编码器码盘的材料有玻璃、金属、塑料,玻璃码盘是在玻璃上沉积很薄的刻线,其热稳定性好,精度高,金属码盘直接以通和不通刻线,
性能须知P+F惯性测量单元
IMU360D-F99-B20-V15
性能须知P+F惯性测量单元IMU360D-F99-B20-V15 循环时间 输出间隔 可编程 测量范围 > 150 ° 线性加速度:≤ ± 1 ° 高达 0.5 m/s2 适用加速时间 ≤ 2s 分辨率 0,01 ° 重复精度 ≤ ± 0,1 ° 循环时间 内部 10 ms 温度影响 *大 ± 1.5° 当 15 ... 85 °C (59 ... 185 °F) 功能性安全相关参数
P+F加速度传感器性能
INY120D-F99-B20-V15
P+F加速度传感器INY120D-F99-B20-V15性能 工作电压 5 ... 30 V DC 空载电流 ≤ 100 mA 功耗 ≤ 0,7 W 接口 接口类型 J1939 数据输出码 二进制码 传输速率 10 ... 1000 kBit/s , 可编程 节点 ID 0 ... 253 , 可编程
p+f倾角传感器INX360D-F99-B16-V15技术参数
p+f倾角传感器INX360D-F99-B16-V15技术参数 INX360DH-F199-B16-V15 INX360DH-F199-B30-2V15 INY030D-F99-2I2E2-25M INY030D-F99-2U-5M INY120D-F99-B20-V15 INY170D-F99-B20-0,6M-6DTM04 INY340D-F99-2I-V15-Y310917 INX360D-F99-I2E2-V15-Ex
P+F电容式传感器CBN10-F46-E0性能阐述
P+F电容式传感器CBN10-F46-E0性能阐述 为减小电缆分布电容影响,可将电子线 路的前级装在离传感器敏感部分很近的地 方,或采用所谓"双层屏蔽等电位传输技术",又称"驱动电缆"技术。这种方法的基本思路 是:连接电缆采用内外双层屏蔽,使内屏蔽层 与被屏蔽的导线电位相同,因而两者之间没 有容性电流存在,这样使引线与内屏蔽之间 的电缆电容不起作用,外屏蔽仍被接地而对 外界电场起屏蔽作用,其原理如图5 - 15所 示。外屏蔽接地后,对地之间电容将成为1:1放大器的负载,它也与电容式传感器的电 容无关。这样无论电缆形状和位置如何变化,都不会对传感器的工作产生影响。
倍加福p+f磁场传感器
MB-F32-A2-V1
倍加福p+f磁场传感器MB-F32-A2-V1 指示灯/操作方法 LED 指示 红色: 开关状态 输出 1 黄色: 开关状态 输出 2 认证和证书 EAC 符合性 TR CU 020/2011 CCC 认证 额定电压 ≤ 36 V 时,产品不需要 CCC 认证/标记
leuze荧光传感器数据LRT 8/44.04-100-S12
leuze荧光传感器数据LRT 8/44.04-100-S12 LRT8/24.00-50-S12 LRT8/24.04-50-S12 LRT8/24.04-100-S12 LRT440/24-150-004-S12 LRT440/24-50-104-S12
经销销售:德国P+F超声波传感器
UC500-D1-3K-V7
经销销售:德国P+F超声波传感器 许可和认证 UL认证 cULus Listed,一般要求 CSA 认证 cCSAus Listed, 一般目的 CCC 认证 大工作电压为 36 伏的产品,无需经过许可认证,且因此无须配备CCC-标识。 周围环境 环境温度 -25 ... 70 °C (-13 ... 158 °F) 储存温度 -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)
倍加福P+F模拟量输入安全栅有现货
KFD2-STC5-EX2
倍加福P+F模拟量输入安全栅有现货 KFD2-UFC-EX1.D KFD2-STC5-1.2O KFD2-STV4-EX1-2 KFD2-UT2-EX1 KFD2-UT2-EX2 KFD2-UT2-EX2-1 KFD2-UT-EX1
现货P+F传感器模块VBA-4E4A-KE-ZEJQ-E2L
现货P+F传感器模块VBA-4E4A-KE-ZEJQ-E2L VBA-4E1A-KE3-ZEJ/SR VBA-4E4A-G11-ZAJ/EA2L-F VBA-4E4A-G12-ZAJ/EA2L VBA-4E4A-KE5-ZEJQ/E2L VBA-4E4A-KE-ZEJQ/E2L VBA-4E4A-KE-ZEJQ/E2L VBA-4E4E-G12-ZAJ VBA-4E-G11-ZAJ-F VBA-4E-G12-ZAJ VBA-4E-KE-ZEJQ
P+F浪涌保护器M-LB-2.275TT.D
P+F浪涌保护器M-LB-2.275TT.D KFD2-UT2-EX1 KFD2-UT2-EX2 KFD2-UT2-EX2-1 KFD2-UT-EX1 KFU8-UFC-1.D KFU8-UFC-EX1.D K-LB-1.6G
倍加福P+F电感式传感器性能特点
NJ1,5-8-N-Y18812
倍加福P+F电感式传感器性能特点
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